بررسی تطبیقی وریستور نسل جدید بر پایه اکسید قلع با وریستور بر پایه اکسید روی در کاربرد ولتاژ پایین

: در این تحقیق برای اولین بار، افزودن اکسید مس به سیستم وریستور اکسید قلع دوپ شده با کبالت، کروم و نئوبیوم برای کاربرد ولتاژ پایین بررسی و با وریستور تجاری بر پایه اکسید روی مقایسه شد. الگوی پراش اشعه ایکس و تصاویر میکروسکوپ الکترونی در وریستور اکسید قلع نشان داد که وریستور اکسید قلع تکفاز است و اندازه دانه متوسط در آن 10 میکرومتر است در حالیکه وریستور اکسید روی چند فازی بوده و شامل اکسید روی، تیتانات روی و فاز غنی از بیسموت است و اندازه دانه متوسط آن 14 میکرومتر است. ولتاژ شکست، ضریب غیرخطی و جریان نشتی وریستور اکسید قلع به ترتیب برابر با 9/0 کیلو ولت بر سانتی متر، 35 و 7 میکرو آمپر است که نسبت به ضریب غیرخطی 24 و جریان نشتی 30 میکروآمپر در وریستور اکسید روی برای کاربرد ولتاژ پایین برتر است. مطالعه تطبیقی پدیده تباهی در این دو وریستور بیانگر عدم تباهی در وریستور اکسید قلع می‌باشد.